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闪存是一种非易失性的半导体可擦写存储器,U盘、TF卡、SD卡、CF卡、SSD等都属于闪存产品。目前大多数SSD闪存颗粒主要分为SLC、MLC、TLC、QLC,而3D TLC和3D QLC颗粒已经被市场的主流SSD所采用。其中,3D TLC颗粒凭借着3D堆叠技术的成熟和成功应用,其稳定性、可靠性和耐用性等相关性能有了极大的提升,且3D TLC拥有制造成本比2D MLC颗粒低的优势,也已经成为大多数企业级应用和工业级应用解决方案的首选NAND。为了突破半导体制程的瓶颈,闪存原厂纷纷通过3D堆叠来实现NAND Flash容量的可持续提升。因此,闪存制造商仍在挑战3D NAND的层数极限,从最初的32层、48层、64层,到最新的96层和128层,并且预测在未来5年内,3D NAND堆叠层数将达到500层,10年内将可达到1000层,甚至更高层数的NAND Flash颗粒。
相较于老的堆叠工艺,96层堆叠工艺其每单元芯片尺寸存储容量增加约40%。该工艺降低了位存储价格并提高了每个硅晶片内存容量的可制造性。相较于2D TLC,3D TLC 利用新的技术(即3D NAND技术)使得闪存晶圆能够进行立体式的堆叠,从而解决了由于晶圆物理极限而无法进一步扩大单Die可用容量的限制,在同样体积大小的情况下,极大的提升了闪存颗粒单Die的容量体积,进一步推动了存储颗粒总体容量的飙升。
举例如下:2D NAND就如同在一块有限的平面上建立的数间平房,这些平房整齐排列,但是随着需求量的不断增加,平房的数量不断增长,可最终这块面积有限的平面只能容纳一定数量的平房而无法继续增加;
3D NAND则就如同在同一块平面上盖起的楼房,在同样的平面中,楼房的容积率却远远高于平房,因而它能提供更多的空间,也就是提供了更大的存储空间,而32层、48层以及64层、96层和128层,则就是这些楼房的高度,一共堆叠了多少层。
Agrade通过严苛的筛选和测试,将96层3D TLC(Bics4)用于工业级SSD存储解决方案,随着NAND Flash制程演进与市场需求的发展,96层3D TLC 工业级SSD固态硬盘的技术已经相当成熟并可用于需要长期稳定运行的特种计算机和工业电脑等设备,而金沙集团1991入口推出的兼具创新与符合严苛工业应用的闪存解决方案——96层3D TLC(Bics4)存储解决方案,引领工业存储全面升级。Agrade金沙集团1991入口将96层3D TLC(Bics4)闪存导入各种规格的固态硬盘,包括2.5寸、M.2 2280、M.2 2242、CFexpress卡、mSATA等。
3D NAND技术使得SSD的容量不断提升并且持续向更大的容量发展
● 可提供更高容量的存储空间,耐用度也经过验证;
● 支持工业级宽温(-40°C~85°C)和与3K P/E Cycle(擦写次数),功耗方面亦有更优异的表现;● 还可搭配Agrade金沙集团1991入口自主开发的固件,大幅提升固态硬盘的写入速度和稳定性,效能如虎添翼。
Agrade金沙集团1991入口96层3D TLC工业级存储解决方案以全方位高度整合,确保严苛应用中的出色性能和最佳可靠度,广泛运用在各种领域,如快速兴起的AIoT、IIoT、智能交通、医疗、数据中心、5G通讯、监控、工业自动化等。随着市场对于大容量存储设备需求的不断提高,闪存颗粒市场的3D NAND已经成为主流,而金沙集团1991入口96层3D TLC工业级存储产品让客户体验到更大存储容量的同时,享受到更优异的存储性能。加入我们